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1.规范自然环境标准 standard ambient condition： 溫度为20
℃，空气湿度为65%，大气压强为101325Pa=1013.25mbar=760Torr。
2.汽体的标况?standard reference conditions for gases：溫度为0℃，工作压力为：101325Pa。
3.工作压力（气体压强）p pressure：汽体分子结构从某一幻想平面图用时，沿该平面图的正法线方位的抛体运动更改率，除于该平面图总面积或汽体分子结构功效于其器皿壁外型上的力的反向份量，除于该外型总面积。注：“工作压力”这一专业术语只适用汽体处在静止不动情况的负担或牢固流动性时的静态数据工作压力。
4.帕斯卡Pa pascal：国际单位制压力单位，1Pa=1N/m2。
5.托Torr torr：压力单位，1Torr=1/760atm。
6.标准大气压atm standard atmosphere：压力单位，1atm=101325Pa。
7.毫巴mbar millibar：压力单位，1mbar=102Pa。
8.分工作压力 partial pressure：混合气中某一成分的工作压力。
9.全工作压力 total pressure：混合气中全部成分工作压力的总数。
10.真空泵 vacuum：在特定室内空间内，小于自然环境大气压强的汽体情况。
11.真空值 degree of vacuum：表露主要表现真空泵情况下汽体的欠缺水平，通常用工作压力值来表露主要表现。
12.真空泵地区?ranges of vacuum：真空泵地区大概区划如下所示：
真空泵地区?? ? ???? 压 ? ? 力
? ? ? ? ? ????????Pa ? ? ? ? Torr
低真?空?? ? ??105～102?? ? ? 760～1
中真?空?? ? ??102～10-1?? ? 1～10-3
高真?空?? ? ??10-1～10-5?? ? 10-3～10-7
极高真空泵?? ? ??<10-5?? ? ??<10-7
13.汽体?gas：不会受到分子结构间相互作用力的拘束且能随意地占据随意室内空间的成分。注：在真空设备中，“汽体”一词不严苛地运用于非可凝汽体和蒸气。
14.分子数相对密度n，m-3 number density of molecules：在某瞬间，汽体中某点四周容积内的分子数，除于该容积。
15.真空磁导率ι、λ，m mean free path：一个分子结构与其他汽体分子结构每持续二次撞击一路走来程，叫随意程。相当多的不一样随意程的均值，叫真空磁导率。
16.撞击率ψ collision rate：在给出的间隔时间内，一个分子结构（或其他要求颗粒）相对性于其他汽体分子结构（或其他要求颗粒）主题活动，遭受的均值撞击频次，除于该時间。这一均值撞击频次是应在充裕多的分子数和充裕长的间隔时间下获得。
17.容积撞击率χ volume collision rate：在给准间隔时间内，在紧紧围绕要求一点的区域区域内汽体分子结构间的均值撞击频次，除于该時间和该室内空间范畴容积。所取间隔时间和容积不可过小。
18.汽体量G quantity of gas：处在均衡情况的理想气体所占有的容积同其工作压力的相乘。此值务必标明汽体溫度或转换成20℃时的标值。注：汽体量就是指该量汽体所占容积内汽体内禀动能（或位能）的2/3。
19.汽体的蔓延?diffusion of gas：汽体由于浓度梯度而在另一种物质中的主题活动。物质可以是另一种汽体（这样的事情下的蔓延称作互蔓延）或是是可凝结成分。
20.扩散系数D diffusion coefficient; diffusivity：根据企业总面积的品质流率的平方根同该企业总面积的反向浓度梯度之比。
21.黏滞流?viscous flow：汽体分子结构的真空磁导率远低于软管最少横截面规格的流动。因而，流动性在于汽体的黏滞性，黏滞流可以是层.流或滞流
22.黏滞指数η viscous factor：在气旋速率方向导数企业总面积上的切向力与速率梯度方向之比。
23.吸咐?sorption：固态或液态（吸收剂）对汽体或蒸气（吸咐质）的收集迹象。
24.外型吸咐?adsorption：汽体或蒸气（吸咐质）留存在固态或液态（吸收剂）外型上的吸咐迹象。
25.物理学吸咐physisorption：由于物理学功效的吸咐迹象。
26.有机化学吸咐?chemisorption：由于氧化作用的吸咐迹象。
27.汲取absorption：汽体或蒸气（吸咐质）蔓延进到到固态或液态（吸收剂）內部的迹象。
28.融入指数α accommodation factor：出射到某一外型的颗�：透猛庑褪导驶セ坏木刀苡肟帕Ｔ诟猛庑蜕献龅匠沟椎娜攘ρ繁曜妓碛セ坏木刀苤�。
29.出射率υ impingement rate：在给准间隔时间内，出射到外表的分子数，除于该時间和该外型总面积。
30.转移?migration：分子结构在外观设计上的挪动。
31.解析?desorption：被原材料吸咐的汽体或蒸气的释放出来迹象。释放出来可以是自然的，也可以用物理方法加快。
32.去气?degassing：汽体从资料中人为因素的解析。
33.放空气?outgassing：汽体从资料中纯天然的解析。
34.解析或放空气或去气速度qGU desorption or outgassing or degassing rate：在给准间隔时间内，从资料中解析（或放空气或去气）的气体压力（或分子结构流率），除于该時间和该外型总面积。
35.挥发率?evaporation rate：在给准间隔时间内从外形上挥发的分子数（或质量摩尔浓度或成分品质）除于该時间和该外型总面积。
36.粗挤时间roughing time：前面机械泵或前面真空泵抽真空安装从大气压力抽至基本工作压力或抽至在较低工作压力下运行的机械泵的启动工作压力所有必要的時间。
37.抽真空時间pump-down time：将真空泵管理体系的工作压力从大气压力减少到毫无疑问工作压力，比如降至基本工作压力所有必要的時间
38.真空泵密封性圈ring gasket：一种圆形真空密封件。注：有各种各样不一样横截面外观设计的真空泵密封环，比如：“O”形密封环 ，“V” 形密封环，“ L” 形密封环和其他材料的液压密封件（金属型材液压密封件）。
39.视窗viewing window：做为观查安装运行状况的一种真空泵窗。注：在其他运用场所务必对视窗的电子光学特性明确提出确定的规定。
40.充阀门charge valve：把汽体充进真空泵管理体系的阀。
41.旁通阀gas admittance valve：将汽体放进到真空泵管理体系中的一种真空泵调压阀。
42.真空泵截止阀门break valve：用于使真空泵管理体系的2个一部分相防护的一种真空阀。通常它不可以作为调压阀应用。
43.前面真空阀backing valve：在前面真空电磁阀路中用于使前面机械泵和与其说相接的机械泵防护的一种真空泵截止阀门。
44.进气阀?by-pass valve：在旁通阀管道中的一种真空泵截止阀门。
45.真空电磁阀electromagnetically operated valve：用磁场力为驱动力启闭的阀。
46.隔板阀baffle valve：多孔板沿高压闸阀径向挪动启闭的阀。
47.翻板钩阀flap valve：多孔板旋转一个视角启闭的阀。
48.闸板阀gate valve：多孔板沿高压闸阀切向挪动启闭的阀。
49.碟阀butterfly valve：多孔板绕固定不动轴在阀嘴中旋转启闭的阀。
50.前面泵：用以保持某一机械泵前面气体压强小于其临界值前面气体压强的机械泵。如罗茨真空泵前配备的旋片或旋片泵泵便是前面泵。
51.粗抽泵：从大气压力下逐渐抽真空，并将管理体系工作压力抽中另一机械泵开始工作的机械泵。如真空镀膜机中的旋片泵泵，便是粗汽油泵。
52.保持泵：在真空泵管理体系中，供气量很钟头，不可以有商业用地行驶前面泵。因此配备一种体积较小的协助泵来保持主阀工作中，此泵叫保持泵。如扩散泵出入口配一台中小型旋片泵，便是保持泵。
53.真空镀膜机 vacuum coating
???在处在真空泵下的硅片制得膜层的一种方式。
54.硅片 substrate
???膜层承担体。
55.实验硅片 testing substrate
???在表层的镀膜逐渐、表层的镀膜全过程中或表层的镀膜完毕后作为精确测量和（或）实验的硅片。
56.镀膜材料 coating material
用于制得膜层的原料。
57.磁控溅射原材料 sputtering material
在真空泵磁控溅射中用于磁控溅射的镀膜材料。
58.膜层原材料（膜层材料） film material
构成膜层的原材料。
59.磁控溅射速度 sputtering rate
???在给准间隔时间内，磁控溅射出去的原材料量，除于该间隔时间。
60.堆积速度 deposition rate
???在给准间隔时间内，堆积在硅片上的原材料量，除于该间隔时间和硅片外型积。
61.表层的镀膜视角 coating angle
???出射到硅片上的颗粒方位与被镀外型法线中间的交角。
62.真空泵磁控溅射 vacuum sputtering
???在真空泵中，稀有气体正离子从靶外型上负电子出分子（分子结构）或原子团的全过程。
63.电子束磁控溅射 ?ion beam sputtering
???行驶尤其的离子源得到的电子束使靶的磁控溅射。
64.电弧放电正离子清理 glow discharge cleaning
???行驶电弧放电基本原理，使硅片及其膜层外型承受汽体充放电负电子的清理全过程。
65.物理学气相色谱堆积 PVD physical vapor deposition
???在真空泵情况下，镀膜材料经挥发或磁控溅射等物理方法汽化，堆积到硅片上的一种制得膜层的方式。
66.化学气相沉积 CVD chemical vapor deposition
???毫无疑问有机化学配制的反映汽体，在特殊激话标准下（通常是毫无疑问高的溫度），根据气相色谱化学变化转化成新的膜层原材料堆积到硅片上制得膜层的一种方式。
67.磁控溅射 magnetron sputtering
???凭借靶外型上产生的正交和磁�。讯蔚缱庸苁诎型庑吞厥獾厍醇忧克馓樱岣哒胱酉喽悦芏群投埽虼丝稍诘脱梗蟮缌髁肯禄竦煤芨叽趴亟ι渌俣�。
68.等离子化学气相沉积：PCVD ?plasma chemistry vapour deposition
???根据充放电造成的等离子推动气相色谱化学变化，在较低温度下，在硅片上制得膜层的一种方式。
69.中空负极等离子喷涂 ?HCD hollow cathode discharge deposition
???行驶中空负极发送很多的离子束，使钳锅内镀膜材料挥发并水解，在硅片上的负偏压功效下，正离子具备较高动能，堆积在硅片外型上的一种表层的镀膜方式。
70.电孤等离子喷涂 arc discharge deposition
???以镀膜材料做为靶极，凭借开启安装，使靶外型造成电光充放电，镀膜材料在电孤功效下，造成无熔合挥发并堆积在硅片上的一种表层的镀膜方式。
71.靶 target
???用颗粒负电子的面。
72.隔板 shutter
用于在時间上和（或）室内空间上限制表层的镀膜并借此机会能做到毫无疑问膜厚遍布的安装，隔板可以是确定的也但是健身运动的。
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